价格(含税)
- 全部产品
- >
- 电子元器件
- >
- 分立半导体产品
- >
- 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- >
- DMT47M2LDVQ-13
以上图片仅供参考
数据手册
DMT47M2LDVQ-13
原装正品
原厂代理
MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
样品价: 售价请咨询客服
批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装规格:
8-PowerVDFN
购买数量:
件/PCS
库存(0)
按整包装:
合计:¥0
批量咨询
放入物料篮
服务保障
-
签订合同 -
1元开专票 -
提供样品 -
最快2小时发货 -
技术支持
物料信息
- 物料型号 :DMT47M2LDVQ-13
- 品牌 :Diodes Incorporated
- 封装规格 :8-PowerVDFN
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :3000
- 整包装数量 :3,000(PCS)
物料行情
价格行情:
稳定持平
持续下跌
持续上涨
库存状态:
供应充裕
供应紧张
补货缺货
选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8(UXC 类) |
功率 - 最大值 | 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
漏源电压(Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 10.8 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 891pF @ 20V |
FET 功能 | 标准 |