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数据手册
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DMN61D8LVT-13
原装正品
原厂代理
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装规格:
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
购买数量:
件/PCS
库存(0)
按整包装:
合计:¥0
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服务保障
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :DMN61D8LVT-13
- 品牌 :Diodes Incorporated
- 封装规格 :SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :10000
- 整包装数量 :10,000(PCS)
物料行情
价格行情:
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持续下跌
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库存状态:
供应充裕
供应紧张
补货缺货
选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | TSOT-26 |
功率 - 最大值 | 820mW |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
漏源电压(Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 630mA |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 1.8 欧姆 @ 150mA,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.74nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 12.9pF @ 12V |
FET 功能 | 逻辑电平门 |