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数据手册
DMN2022UNS-7
原装正品
原厂代理
MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
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批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装规格:
8-PowerVDFN
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :DMN2022UNS-7
- 品牌 :Diodes Incorporated
- 封装规格 :8-PowerVDFN
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :2000
- 整包装数量 :2,000(PCS)
物料行情
价格行情:
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选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
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市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
功率 - 最大值 | 1.2W |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 10.7A(Ta) |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 10.8 毫欧 @ 4A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 20.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1870pF @ 10V |
FET 功能 | 标准 |