价格(含税)
- 全部产品
- >
- 电子元器件
- >
- 分立半导体产品
- >
- 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
- >
- HGTD1N120BNS9A
![](/upload/image/product/images/20190729/7e261e9ee9d082c89151ae56e7d0e08e.jpg)
![](/upload/image/product/images/20190729/7e261e9ee9d082c89151ae56e7d0e08e.jpg)
![](/upload/image/product/images/20190729/7e261e9ee9d082c89151ae56e7d0e08e.jpg)
以上图片仅供参考
数据手册
![](/static/cryl/images/下载.png)
HGTD1N120BNS9A
原装正品
原厂代理
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
样品价: 售价请咨询客服
批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
封装规格:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
购买数量:
PCS
库存(5000)
按整包装:
卷带(每卷带2500
PCS)
合计:¥0
批量咨询
![](/static/cryl/images/购物篮.png)
服务保障
-
签订合同 -
1元开专票 -
提供样品 -
最快2小时发货 -
技术支持
物料信息
- 物料型号 :HGTD1N120BNS9A
- 品牌 :ON Semiconductor
- 封装规格 :TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :2,500(PCS)
物料行情
价格行情:
稳定持平
持续下跌
持续上涨
库存状态:
供应充裕
供应紧张
补货缺货
选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
电流 - 集电极(Ic)(最大值) | 5.3A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
供应商器件封装 | TO-252AA |
功率 - 最大值 | 60W |
测试条件 | 960V,1A,82 欧姆,15V |
IGBT 类型 | NPT |
不同Vge,Ic 时的Vce(on) | 2.9V @ 15V,1A |
输入类型 | 标准 |
脉冲电流 - 集电极 (Icm) | 6A |
开关能量 | 70µJ(开),90µJ(关) |
栅极电荷 | 14nC |
25°C 时 Td(开/关)值 | 15ns/67ns |