价格(含税)
- 全部产品
- >
- 电子元器件
- >
- 分立半导体产品
- >
- 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- >
- SI4909DY-T1-GE3
以上图片仅供参考
数据手册
SI4909DY-T1-GE3
原装正品
原厂代理
MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
样品价： 售价请咨询客服
批量价：批量采购请咨询获取优惠价
所属分类：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
封装规格：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
购买数量：
PCS
库存(3486)
按整包装：
卷带（每卷带2500
PCS）
合计：￥0
批量咨询
放入物料篮
服务保障
-
签订合同 -
1元开专票 -
提供样品 -
最快2小时发货 -
技术支持
物料信息
- 物料型号 ：SI4909DY-T1-GE3
- 品牌 ：Vishay
- 封装规格 ：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 无铅情况 ：达标
- 起订量 ：1
- 整包装数量 ：2,500(PCS)
物料行情
价格行情：
稳定持平
库存状态：
供应充裕
选型参考
生命周期：
新款料
市场情况：
常用料
物料详情
规格参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率 - 最大值 | 3.2W |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 8A |
| 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） | 27 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） | 63nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2000pF @ 20V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 27 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 63nC @ 10V |
