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数据手册
R6042JNZ4C13
原装正品
原厂代理
R6042JNZ4 IS A POWER MOSFET WITH
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所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-247-3
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :R6042JNZ4C13
- 品牌 :Rohm Semiconductor
- 封装规格 :TO-247-3
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :30(PCS)
物料行情
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生命周期:
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市场情况:
常用料
试型料
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定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247G |
功率耗散(最大值) | 495W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 42A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 15V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 104 毫欧 @ 21A,15V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 7V @ 5.5mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 100nC @ 15V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3500pF @ 100V |
FET 功能 | - |