价格(含税)
- 全部产品
- >
- 电子元器件
- >
- 分立半导体产品
- >
- 晶体管 - FET,MOSFET - 单
- >
- TK39N60W,S1VF
以上图片仅供参考
数据手册
TK39N60W,S1VF
原装正品
原厂代理
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
样品价: 售价请咨询客服
批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 单
封装规格:
TO-247-3
购买数量:
PCS
库存(965)
按整包装:
管件(每管件30
PCS)
合计:¥0
批量咨询
放入物料篮
服务保障
-
签订合同 -
1元开专票 -
提供样品 -
最快2小时发货 -
技术支持
物料信息
- 物料型号 :TK39N60W,S1VF
- 品牌 :Toshiba
- 封装规格 :TO-247-3
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :30(PCS)
物料行情
价格行情:
稳定持平
持续下跌
持续上涨
库存状态:
供应充裕
供应紧张
补货缺货
选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率耗散(最大值) | 270W(Tc) |
FET 类型 | N 沟道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 38.8A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) | 65 毫欧 @ 19.4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 1.9mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) | 110nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 4100pF @ 300V |
FET 功能 | 超级结 |