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数据手册
SI2309CDS-T1-GE3
原装正品
原厂代理
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
样品价： 售价请咨询客服
批量价：批量采购请咨询获取优惠价
所属分类：
晶体管 - FET，MOSFET - 单
封装规格：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
购买数量：
PCS
库存(14000)
按整包装：
卷带（每卷带3000
PCS）
合计：￥0
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技术支持
物料信息
- 物料型号 ：SI2309CDS-T1-GE3
- 品牌 ：Vishay
- 封装规格 ：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 无铅情况 ：达标
- 起订量 ：1
- 整包装数量 ：3,000(PCS)
物料行情
价格行情：
稳定持平
库存状态：
供应充裕
选型参考
生命周期：
新款料
市场情况：
常用料
物料详情
规格参数
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） |
| FET 类型 | P 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 1.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） | 345 毫欧 @ 1.25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） | 4.1nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 210pF @ 30V |
| FET 功能 | - |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 345 毫欧 @ 1.25A，10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.1nC @ 4.5V |
