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数据手册
NTGD3148NT1G
原装正品
原厂代理
MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP
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批量价:批量采购请咨询获取优惠价
所属分类:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
封装规格:
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
购买数量:
PCS
库存(1200)
按整包装:
卷带(每卷带3000
PCS)
合计:¥0
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技术支持
物料信息
- 物料型号 :NTGD3148NT1G
- 品牌 :ON Semiconductor
- 封装规格 :SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
- 无铅情况 :达标
- 起订量 :1
- 整包装数量 :3,000(PCS)
物料行情
价格行情:
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供应紧张
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选型参考
生命周期:
新款料
长期稳定料
淘汰料
停产料
市场情况:
常用料
试型料
偏门料
定制料
物料详情
规格参数
工作温度 | -50°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
功率 - 最大值 | 900mW |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
漏源电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 3A |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 300pF @ 10V |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.8nC @ 4.5V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 70 毫欧 @ 3.5A,4.5V |