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数据手册
NSBA114TDP6T5G
原装正品
原厂代理
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
样品价： 售价请咨询客服
批量价：批量采购请咨询获取优惠价
所属分类：
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
封装规格：
SOT-963
购买数量：
PCS
库存(8000)
按整包装：
卷带（每卷带8000
PCS）
合计：￥0
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服务保障
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技术支持
物料信息
- 物料型号 ：NSBA114TDP6T5G
- 品牌 ：ON Semiconductor
- 封装规格 ：SOT-963
- 无铅情况 ：达标
- 起订量 ：1
- 整包装数量 ：8,000(PCS)
物料行情
价格行情：
稳定持平
库存状态：
供应充裕
选型参考
生命周期：
新款料
市场情况：
常用料
物料详情
规格参数
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 电流 - 集电极（Ic）（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率 - 最大值 | 408mW |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 电阻器 - 基底（R1） | 10 千欧 |
| 电阻器 - 发射极基底（R2） | - |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
